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1200℃双温区CVD系统

产品用途:此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

Keywords:

CVD

双温区CVD系统

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    • Commodity name: 1200℃双温区CVD系统
    • Commodity ID: 1034429773968662528

    产品用途:此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

    销售热线:15122725930  

     

    产品用途:

    此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

    产品组成:

    此款CVD系统配置:

    1.1200度开启式真空管式炉(可选配单温区、双温区)。

    2.多路质量流量控制系统

    3.真空系统(可选配中真空或高真空)     

    产品特点:

    1 控制电路选用模糊PID程控技术,该技术控温精度高,热惯性小,温度不过冲,性能可靠,操作简单。

    2 气路快速连接法兰结构采用本公司独有的知识产权专利设计,提高操作便捷性。

    3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能,高真空系统采用高压强,耐冲击分子泵

     防止意外漏气造成分子泵损坏,延长系统使用寿命。

    系统名称

    1200℃单/双温区CVD系统

    系统型号

    CVD-12II-3Z/G

    CVD-12II6-3Z/G

    最高温度

    1200℃

    加热区长度

    420mm

    600mm

    恒温区长度

    280mm

    390mm

    温区

    双温区

    双温区

    石英管管径

    Φ50/Φ60/Φ80mm

    Φ80/Φ100mm

    额定功率

    3.2Kw

    4.8Kw

    额定电压

    220V

    温度控制

    国产程序控温系统50段程序控温;

    控制精度

    ±1℃

    炉管最高工作温度

    <1200℃

    气路法兰

    密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术,在密封法兰与管外壁间形成了密封,在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效,该密封法兰的安装只需在第一次使用设备的时候安装

    气体控制方式

    质量流量计

    气路数量

    3路(可根据具体需要选配气路数量)

    流量范围

    0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定

    精度

    ±1%F.S

    响应时间

    ≤4sec

    工作温度

    5-45℃

    工作压力

    进气压力0.05-0.3Mpa(表压力)

    系统连接方式

    采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪

    规格

    高真空

    系统真空范围

    1x10-3Pa-1x10-1Pa

    真空泵

    真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1200L/S额定电压220V    功率2KW

    真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1600L/S额定电压220V  功率2KW

     

     

    炉体外形尺寸

    340×580×555mm

    480×770×605mm

    系统外形尺寸

    530x1440x750mm(不含高真空)

    系统总重量

    330kg

     

    Key words:
    • CVD
    • 双温区CVD系统
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    邮   箱: CTJZH@CTJZH.COM
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